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IT之家 12 月 2 北京天科合达半导体近日发布8 英寸导电碳化硅衬底新产品。公司介绍了8 新产品的关键技术参数指标为英寸导电碳化硅衬底,并宣布将于 2023 年实现 8 英寸导电碳化硅衬底小规模量产。
IT据了解,2021年之家了解到 徐州天科合达生产基地 6 目前,北京大兴总部基地的英寸系列产品产能已达全国第一 6 英寸产能持续突破。
天科合达是国内碳化硅衬底领域的龙头企业,不断突破大尺寸、高质量碳化硅衬底制备的关键核心技术。
各项指标公布如下:
(1)8 英寸碳化硅晶体 (直径可达 209mm) 晶片外观图
(2)拉曼光谱测试数据显示,8 英寸碳化硅衬底 100% 面积为 4H 晶型
(3)XRD 三点摇摆曲线数据显示,半高宽小于 20 arcsec
(4)位错缺陷密度试验结果显示,EPD<4000 每平方厘米,TSD<100 每平方厘米,BPD<200 每平方厘米,位错密度处于国际领先水平
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